Информационно-новостной портал о памяти DDR3 (DDR-III)
Применение DDR3
Infineon официально объявила о выпуске первых образцов памяти DDR3, это наконец-то положит конец монополии Samsung.
Сейчас образцы микросхем обладают пропускной способностью 800 и 1067 МГц. В дальнейшем Infineon сосредоточится на увеличении этой цифры до 1600 МГц, что позволит удвоить результаты по сравнению даже с ещё не стандартизованной DDR2-800.
Ёмкость микросхем сейчас составляет 512 Мб и 1 Гб. Компания рассматривает возможность увеличения плотности до 8 Гб, конечно с промежуточными 2 и 4 Гб. Размер самих модулей памяти будет от 256 МБ до 8 ГБ для стандартизованных JEDEC, компания допускает изготовление более ёмких модулей на заказ.
К сожалению пока такая память в настольных компьютерах является излишеством, а с наметившимся отказом Intel от архитектуры NetBurst такая пропускная способность вообще может оказаться долгое время не востребованной. Даже сами производители заявляют что первый компьютер с памятью DDR3 появится не ранее конца 2006 года. Хотя более низкое напряжение питания (1.5 В у DDR3 против 1.8 у DDR2) даёт ей некоторое преимущество.
DDR3 SDRAM появится в 2006 году
На прошедшем IDF компания Intel уделила определённое внимание и перспективам развития оперативной памяти. Помимо уже известного факта о том, что в будущем году в сервера и рабочие станции придут FBD (FB DIMM) модули, Intel объявил и о том, что в 2006 году компания намерена создавать платформы с поддержкой DDR3 SDRAM, работающей со скоростью 1066 МГц.
Хотя спецификация DDR3 SDRAM пока не утверждена, над ней ведут совместную работу инженеры Intel и JEDEC, говорить об основных характеристиках памяти этого типа уже возможно. По сути DDR3 представляет собой дальнейшее развитие DDR и DDR2 SDRAM: эта память вновь позволит увеличить частоту и пропускную способность, одновременно снизив напряжение питания.
В то время, как модули DDR2 SDRAM используют напряжение питания 1.8 В, будущие модули DDR3 SDRAM будут использовать напряжение, пониженное до 1.5 В. С целью более эффективного энергосбережения логика DDR3 SDRAM к тому же будет обладать дополнительными функциями управления питанием.
Что касается скоростных характеристик, то переход на чипы DDR3 позволит не только увеличить частоту работы, но и несколько снизить латентности при чтении данных (по предварительным данным, примерно на 15-20%). Память типа DDR3 будет использовать 8-битную предвыборку, в то время как в DDR2 памяти используется 4-битная предвыборка. Это означает, что частота буферов в DDR3 вновь удвоится при том, что сами ячейки памяти будут работать на той же частоте, что и в обычной SDR и DDR памяти. Однако, по традиции, под частотой DDR3 чипов и модулей понимается именно частота буферов. Именно за счет увеличения скорости буферов и расширения шины между ними и ячейками памяти будет достигнут очередной рост быстродействия.
Как видно по планам, графическое представление которых представлено выше, DDR2 SDRAM с частотой 667 и 800 МГц появится в следующем году. К концу года на рынок придёт FB-DIMM, а 2006 год ознаменуется появлением DDR3 памяти со стартовыми частотами 800 и 1066 МГц.
Автор: ]]>ТОРМОЗ]]>
Память DDR3 поступила в тестовое производство
Тайваньская компания ]]>Nanya Technology]]> в лице своего вице-президента Пей-лин Пай (Pei-lin Pai) объявила о своих планах по началу производства модулей памяти типа DDR3 DIMM уже во второй половине текущего года.
Производитель рассчитывает, что уже к 2008 году именно DDR3 составит значительную долю в объёме продаж. В этом году для её производства будет использоваться 90-нм технологический процесс. Далее, когда спрос на такую память обретёт массовый характер, ожидается переход на 70-нм нормы. По предварительным прогнозам это произойдет в 2008 году.
К преимуществам DDR3 перед DDR2 следует отнести более низкое напряжение питания (1,5 В против 1,8 В), 8-битную архитектуру предварительной выборки (4-битная у предшественницы) и наличие встроенных в чипы температурных датчиков.
Оперативная память DDR3 будет иметь рабочий диапазон частот от 800 до 1600 МГц, латентность - от 5 до 10. При её разработке учитываются потребности энергосбережения, поэтому Nanya планирует, что её память будет иметь два энергосберегающих режима - PASR (Partial Array Self Refresh) и ASR (Auto Self Refresh).
В настоящий момент JEDEC еще не утвердила окончательной спецификации DDR3, её принятие должно состояться в конце 2007 или начале 2008 года.
На выставке SemiTech Taipei Nanya продемонстрировала 240-контактный модуль небуферируемой памяти DDR3, 1066 МГц, объемом 1 Гб. Максимальная пропускная способность такой памяти составляет 8,5 Гб/с.
Компания Nanya Technology на выставке SemiTech, состоявшейся в Тайпее, представила новые модули оперативной памяти DDR3, работающие на частоте 1066 МГц и имеющие пропускную способность 8,5 Гбайт/с. 240-контактные планки оснащены 512 мегабитными чипами памяти, общий объём которых составляет 1 Гбайт.
Чипмейкер сообщает, что уже во второй половине текущего года компания начнёт тестовое производство представленных устройств, которые будут поставляться незначительному количеству партнеров компании. О пробном производстве говорит и используемый 90-нм техпроцесс - при старте массового изготовления чипов DDR3-памяти компания планирует перейти на более совершенный 70-нм техпроцесс.
Согласно планам Nanya Technology, массовое производство и поставки устройств на рынок стартуют только в 2008 году, а пока официальные представители чипмейкера заявляют, что производство устройств памяти DDR3 в ближайшей перспективе не будет приносить сколь заметной прибыли.
Основные характеристики модулей типа DDR3:
- рабочее напряжение 1,5 В;
- архитектура с 8-битной предвыборкой;
- наличие датчика температуры, размещенного непосредственно на кристаллах чипов памяти;
- работа при выставленных значениях CAS-таймингов от 5 до 10;
- поддержка PASR (Partial Array Self Refresh) и ASR (Auto Self Refresh) режимов работы для снижения энергопотребления;
- чипы памяти заключены в 78-ball FBGA и 96-ball FBGA корпуса.
Источник: ]]>digitimes.com]]>
DDR3 станет mainstream не раньше 2009 года
Компания Samsung, первый в мире по значимости производитель памяти, ожидает, что третье поколение памяти DDR затмит DDR2, как господствующего технологического стандарта оперативной памяти для ПК не ранее чем в 2009 году, сообщили представители компании. DDR3 предложит пользователям ряд технологических преимуществ над предшественницей.
Благодаря своей архитектуре DDR3 должна обеспечивать туже пропускную способность, что и DDR 2, при этом функционируя на вдвое меньшей тактовой частоте. Помимо этого, DDR3 питается от 1,5 В против 1,8 В у DDR2 и 2,6 В у DDR. Это значит, что новая память обеспечит меньшее энергопотребление, что благоприятно скажется, в первую очередь, на переносных компьютерах, время автономной работы которых является одним из самых важных параметров.
"Первые настольные ПК, использующие DDR3, предстанут на рынке в течение второй половины следующего года" - сообщил старший вице-президент отдела разработки памяти Samsung Electronics Тай-Санг Янг (Tae-Sung Jung), выступая с отчетом на конференции в Сингапуре.
"Менее чем через два года, DDR3 станет самым обычным типом динамической оперативной памяти" – добавил Янг. "Рост популярности DDR3 придется на период с конца 2008 или 2009 года, в зависимости от темпов развития промышленности" – сказал вице-президент.
Samsung достаточно оптимистично смотрит в будущее, ибо требования игровых систем, будь то новые консоли Sony PlayStation 3 или настольные решения неумолимо растут и в части объемов оперативной памяти. А, учитывая, что новая операционная система от Microsoft в скором времени начнет завоевывать сердца и кошельки пользователей, средний объем ОЗУ в персональных компьютеров многократно увеличится. Как сообщил Ву-Сик Чу (Woo-Sik Chu), старший вице-президент Samsung по связям с инвесторами, в результате анализа рынка памяти, средний объем ОЗУ в ПК с 800 Мб в текущем году по прогнозу должен увеличится до 1,2 Гб в следующем году.
Источник: 3dnews.ruфторопласт, плавиковый шпат, ферросплавы
OCZ DDR3-1800 Intel Extreme Memory Kit — экстремальная память для энтузиастов
Компания OCZ Technology сообщила о выпуске новой высокопроизводительной памяти стандарта DDR3. Новая ХМР-память (Intel Extreme Memory Profiles) ориентирована на компьютерных энтузиастов и оверклокеров, которые будут строить свои ПК на базе чипсета Intel X48, для работы с которым она и оптимизирована.
В новой памяти для оверкловеров доступны два XMP-профайла с разными предварительно записанными таймингами.
Параметры:
Chaintech выпустила самые быстрые модули DDR3-2000
Стало известно о готовности компании Walton Chaintech выпустить новые модули оперативной памяти стандарта DDR3, работающие на эффективной частоте 2000 МГц (тактовая частота - 1000 МГц). Появление во флагманской линейке Chaintech APOGEE GT Blazer планок DDR3-2000 (PC3-16000) означает, что компания A-DATA Technology перестаёт быть единственной, кто предлагает компьютерным энтузиастам и сторонникам экстремального разгона оперативную память такого класса.
Новые модули APOGEE GT Blazer DDR3-2000 основаны на микросхемах из серии D9G производства Micron, благодаря которым возможна стабильная работа на 2000 МГц с довольно жёсткими для данных условий задержками CL 9-8-8-24. Что касается аналогичных планок от компании A-DATA, они могут функционировать как DDR3-2000 с таймингами CL 9-9-9-24. Для охлаждения новой DDR3-памяти, работающей в двухканальной связке, тайваньский производитель предлагает недавно представленную конструкцию под названием Cool It Smart. На фотографии коробочной версии набора APOGEE GT Blazer DDR3-2000 общим объёмом 2 Гб система охлаждения изображена в пассивном варианте. В отдельных случаях не исключается возможность установки двух вентиляторов для улучшения температурного режима DRAM-чипов.
Модули Chaintech APOGEE GT Blazer DDR3-2000 позволят владельцам материнских плат на чипсетах Intel X38 или P35 с хорошим разгонным потенциалом добиться максимальной производительности подсистемы памяти. В наступающем году с выходом очередного флагманского чипсета Intel X48 сфера применения новой оперативной памяти должна расшириться.
По вопросу стоимости новых модулей компания Chaintech ничего не сообщает. Источник иронизирует, что ей не хочется лишний раз расстраивать поклонников своей продукции перед наступающими праздниками.
news.onru.ruАрхив
Первая оперативная память DDR3 от LexarTwinMOS представляет модули памяти DDR3-1333 SO-DIMM для ноутбуков
Foxconn Digitalife X38A – матплата с поддержкой DDR2/DDR3
Память Corsair DOMINATOR-GT DDR3-1600 для AMD Phenom II
DDR3-память Kingston: модельный ряд, цены
Hynix HYMT112U64ZNF8-H9 или пришествие удешевленных DDR3
Оперативная память DDR3 с частотой 2133 МГц
Gigabyte GV-NX66128DP2
Palit X1600 Pro
Gainward GeForce 6800GT 2400/Ultra Golden Sample
Видеокарта PCI Express 512M ATI Radeon X1900 CF ASUS EAX1900 CROSSFIRE /2DH DDR3 (256 bit) 2xDVI
Видеокарта PCI Express 256M ATI Radeon X850 XT SAPPHIRE DDR3 (256bit) DVI TV-out OEM
Qimonda выпустила экономичные DDR3-модули для ноутбуков
Первая реально продающаяся 5700 Ultra с GDDR3
Chaintech применяет 6800GS
Видеокарта от Chaintech на 7800GT
HIS готовит новую AGP-видеокарту на базе DDR3
Intel начнёт использовать DDR-3 во второй половине 2007 года
Первые системные платы с поддержкой DDR3
Qimonda начинает поставки DDR3 SO-DIMM
IDF 2005: Elpida демонстрирует микросхемы оперативной памяти DDR3
Интим, проститутки, интим услуги, эскорт, индивидуалки;Это porno вам понравится;Массажный салон - эротический массаж поможет расслабитьсяРазные интересные головоломки для разминки мозгов.
тематические ресурсы
новости по теме